集成無源器件（Integrated Passive Device，IPD）技術可以將分立的無源器件集成在襯底內部，提高器件 Q 值及系統集成度。尤其是基于高阻硅 IPD 薄膜技術具有高精度、高集成度等特點，可將無源器件特征尺寸縮小一個數量級。同時可利用成熟的硅工藝平臺，便于批量生產降低成本。尤為重要的是，高阻硅 IPD技術可與 TSV 技術兼容，實現無源器件包括電阻、電容、電感等器件集成在一個單獨器件內，可實現器件三維疊層封裝，在節省空間的同時，可以增加器件的功能性、并簡化印刷電路板的設計。

因此，采用先進的無源元件集成基板結構設計集成電路技術是實現和滿足集成電路的電子系統將朝著速度更快、功能更強大、多附加值、體積更小、和高密度集成的方向發展的重要途徑。高阻硅 IPD 技術以高阻硅為襯底，采用薄膜技術制備嵌入式無源器件，使得襯底功能化，是下一代電子產品的重要發展趨勢之一。

蘇州甫一電子科技有限公司采用半導體加工技術與電化學技術相結合，制備出基于硅、玻璃基板的薄膜 IPD 器件，能提供優良的器件精度和功能密度，并與三維通孔技術相結合，能夠制作各種薄膜式電阻器、電容器和電感器及互連結構，以及完成無源元件之間的傳輸布線，可廣泛應用于微波通訊、射頻、高精度復合元件、高密度集成和大功率器件領域。